领域陷入摩尔定律即将面临物理极限的瓶颈。但没有什么能够难倒行业巨头安全图，台积电、

　　尝试新的材料取代硅便是思路之一，目前我国在这方面已经掌握领先全球的技术，实现了碳基晶圆的生产。

　　还有一种让芯片性能得到高度提升的方法，那就是改进晶体管技术。传统的FinFET晶体管技术在制程不断微缩的情况下，已经难以有新突破，故而相关企业或团队展开了对晶体管新型技术的研发探索。

　　12月17日快科技传来消息，我国复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授的团队成功攻克难题凯时ks998，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。

　　据悉，周鹏教授的团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管，实现低泄漏电流与高驱动电流的融合。

　　目前，这一相关成果已经第66界IEDM国际电子器件大会上在线发表。笔者了解到，这类多桥沟道晶体管技术简称GAA技术，相比传统的FinFET晶体管，采用GAA技术的晶体管能够实现更好的栅控能力以及漏电控制沟道技术。

　　数据显示，周鹏教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管的驱动电流，与普通MoS2晶体管相比实现了400%的大幅提升，而且漏电流降低了两个数量级。

　　这意味着，GAA晶体管能够让摩尔定律在5nm以下的高精度工艺节点上更好地延续凯时ks998。

　　提及此，可能不少读者都对GAA技术感到一丝熟悉。在复旦教授团队实现此项技术突破之前，行业巨头三星和台积电早已掌握GAA晶体管，前者还冒险将GAA新技术应用到3nm芯片的量产中，计划2022年投产。

　　而台积电则相对保守，在3nm工艺上仍选择使用传统且成熟的FinFET晶体管。

　　至于大陆的芯片代工巨头中芯国际，根据梁孟松透露凯时ks998，该公司的5nm和3nm最关键、最艰巨的八大项技术已经有序展开，只待EUV光刻机到货旋转灯。

　　由此可见，虽然目前仍落后于海外甚至台企正向偏置，但在全国上下的共同努力下，国产芯片未来可期。

　　原文标题：复旦教授攻克难题，3nm芯片关键技术取得突破，国产芯片未来可期

　　原文标题：复旦教授攻克难题凯时ks998，3nm芯片关键技术取得突破，国产芯片未来可期

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