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  • 灯火璀璨 闪耀中国年
    灯火璀璨 闪耀中国年

    甲辰龙年,我们特别策划了新春灯会专题,邀请来自鲁迅美术学院、中国美术学院、南京艺术学院、上海大学上海美术学院、西安美术学院凯时ks998凯时ks998凯时ks998、中央美术学院凯时ks998、北京航空航天大学新媒体艺术与设计学院、湖南大学设计艺术学院、四川...

    2024.02.29
  • 中新网湖北 湖北新闻网
    中新网湖北 湖北新闻网

    (武文旅)展示武汉礼物品牌建设成果,促进文化旅游市场繁荣发展。12月12日,2023年首届武汉礼物(店)征集遴选活动进行成果发布。 本次活动由武汉市委宣传部、武汉市文化和旅游局指导,在黄鹤楼酒文化博览园举办。 为促进文化创意、赋能文旅产业高质量发展,推...

    2024.02.29
  • 湾区文化合作要善用三优势
    湾区文化合作要善用三优势

    阳光下的香港故宫文化博物馆(以下简称为香港故宫),像一尊金色方鼎昂然矗立,近处是繁华的维港,远处是广袤的南海,恰如其承载的使命背靠祖国,扎根香港,贯穿古今,联通中外,向世界展示来自北京故宫、来自全球各地的稀世珍宝。 这座全新的文化地标正以独...

    2024.02.29
  • 走进闪存技术
    走进闪存技术

    首先,闪存受益于PC机市场的飞速增长。在PC时代刚刚开始时,易失性存储器DRAM (动态随机存取存储器)和SRAM (静态随机存取存储器) 虽然固有数据易失性的缺点,但仍然是两个最重要的存储器。随着设计和工艺技术的进步提高了的密度和可用性,作为对现有的SRAM和...

    2024.02.27
  • 国内垂直晶体管技术芯片已实现065nm沟道长度?
    国内垂直晶体管技术芯片已实现065nm沟道长度?

    芯片是由晶体管组成的,同样的面积之下,晶体管越密集,意味着芯片工艺越先进,所以每一代的芯片工艺提升,都是以缩短晶体管导电沟道的长度为目标的。 这个晶体管导电沟道的长度,简称沟道长度,也就是指芯片的工艺,比如沟道长度为5nm,代表着芯片是5nm芯片...

    2024.02.27
  • 低Rds(on) P沟道技术
    低Rds(on) P沟道技术

    安全图正向偏置旋转灯沟道技术凯时ks998包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用,功率MOSFET最重要的特性便是其漏极-源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命,提高功率转化效率。同时,便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸...

    2024.02.27
  • FDSOI
    FDSOI

    FD-SOI是下一代晶体管结构的热门技术之一。目前制造晶体管的主流技术是采用体硅技术制作的32/28nm制程平面型晶体管。 AMD,IBM以及其它部分厂商目前则在使用基于部分耗尽型SOI技术的平面型晶体管制造自己的处理器产品。相比之下,Intel公司过去则放弃了SOI的...

    2024.02.27
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